Structure de dispositif à semi-conducteurs

La presente invention concerne des structures de dispositifs a semi-conducteurs et des procedes de fabrication de telles structures de dispositifs a semi-conducteurs destinees a etre utilisees dans des dispositifs de memoire vice statique (SRAM). La structure de dispositif a semi-conducteurs comprend une region dielectrique situee entre des premiere et deuxieme regions semi-conductrices et une structure de conducteur de grille qui s'etend entre les premiere et deuxieme regions semi-conductrices. La structure de conducteur de grille comporte une premiere paroi laterale qui surplombe la premiere region semi-conductrice. La structure de dispositif comprend egalement un pont de liaison electrique qui s'etend au niveau de la premiere region semi-conductrice. Le pont de liaison electrique comporte une partie qui relie electriquement une region dopee avec des impuretes presente dans la premiere region semi-conductrice et la premiere paroi laterale de la structure de conducteur de grille.