Bulk acoustic wave device having semiconductor layer, and corresponding series and parallel tunable BAW device

Volumenakustikwellen (BAW) Vorrichtung, enthaltend: eine erste Elektrode (110); eine zweite Elektrode (120); eine piezoelektrische Schicht (130) angeordnet zwischen der ersten (110) und zweiten (120) Elektrode, wobei die erste Elektrode (110) die piezoelektrische Schicht (130) kontaktiert; und eine Halbleiterschicht (140) angeordnet zwischen der ersten (110) und zweiten (120) Elektrode, wobei die Halbleiterschicht (140) elektrisch von der ersten Elektrode (110) isoliert ist.