CuO/Cu x S y 八面体核壳结构的合成及其电化学性能

在室温下通过离子交换过程，快速制备双壳层中空氧化铜/硫化铜（CuO/CuxSy）八面体材料。通过调节硫化时间，双壳层中空CuO/CuxSy八面体的形貌和硫化物/氧化物组成发生改变，进而影响其电化学性能。通过XRD，SEM，TEM和XPS对该八面体的形貌结构进行测试分析。测试表明该中空结构具有相互交叉的CuxSy纳米片构成的外壳和位于八面体内部的CuO核层部分。双壳层中空CuO/CuxSy八面体的独特结构和CuO，CuxSy之间的协同效应有利于材料的电化学过程。当硫化时间为6 h时双壳层中空CuO/CuxSy八面体在1 A·g-1的电流密度下具有高达413.6 F·g-1的比电容，并且其在20 A·g-1的电流密度下具有较好的倍率性能和循环稳定性。