Procédé de production de poudre de nitrure de silicium, poudre de nitrure de silicium, corps fritté de nitrure de silicium et substrat de circuit l'utilisant

Le but de la presente invention est de procurer un corps fritte de nitrure de silicium presentant une resistance mecanique et une conductivite thermique elevees, et de procurer un substrat de circuit utilisant ledit corps fritte de nitrure de silicium. L'invention concerne un procede de production de poudre de nitrure de silicium caracterise par l'execution d'un chauffage a une vitesse de 12 a 100 °C/min dans la plage de temperatures allant de 1 000 a 1 400 °C tout en fluidisant un compose Si-N(-H) amorphe presentant un rapport RS/RO superieur ou egal a 500 avec un four de frittage continu, RS (m 2 /g) representant la surface specifique et RO (% en masse) la teneur en oxygene. L'invention concerne en outre une poudre de nitrure de silicium caracterisee en ce qu'elle presente un rapport FS/FSO situe dans la plage allant de 8 a 25 et un rapport FS/FIO superieur ou egal a 22, FSO (% en masse) representant la teneur en oxygene present de la surface des particules a 3 nm directement au-dessous de la surface des particules, et FIO (% en masse) la teneur en oxygene present au-dela de 3 nm vers l'interieur directement au-dessous de la surface des particules, et FS (m 2 /g) la surface specifique ; l'invention concerne egalement un corps fritte de nitrure de silicium obtenu par frittage de la poudre de nitrure de silicium, ainsi qu'un substrat de circuit utilisant ledit corps fritte de nitrure de silicium.