Système de gravure et procédé de traitement de substrat unique

L'invention concerne un procede et un systeme pour augmenter la vitesse de gravure et la selectivite de gravure d'une couche de masquage sur un substrat dans un systeme de traitement par attaque a l'acide, ce systeme de traitement par attaque a l'acide etant configure pour traiter un seul substrat. Le procede comprend les operations consistant a obtenir une alimentation en melange vapeur-vapeur d'eau sous une pression elevee, obtenir une alimentation en liquide de traitement pour attaquer de facon selective la couche de masquage sur le silicium ou l'oxyde de silicium avec un rapport de selectivite de gravure fixe, placer le substrat dans la chambre de traitement de gravure, combiner le liquide de traitement et le melange vapeur-vapeur d'eau et injecter la combinaison du liquide de traitement et du melange vapeur-vapeur d'eau dans la chambre de traitement de gravure, le debit de la combinaison du liquide de traitement et du melange vapeur-vapeur d'eau etant regule pour maintenir un taux de gravure fixe et un rapport de selectivite de gravure fixe de la couche de masquage sur le silicium ou l'oxyde de silicium.