Old Web
English
Sign In
Acemap
>
Paper
>
Искусственные подложки GaAs/Si(001), выращенные методом молекулярно-лучевойэпитаксии, для оптоэлектронных приложений
Искусственные подложки GaAs/Si(001), выращенные методом молекулярно-лучевойэпитаксии, для оптоэлектронных приложений
2021
М.О. Петрушков
Е. А. Емельянов
М.А. Путято
Correction
Source
Cite
Save
Machine Reading By IdeaReader
0
References
0
Citations
NaN
KQI
[]