Verfahren zur Herstellung strukturierter Schichten aus Siliziumdioxid auf senkrecht oder geneigt zu einer Substratoberfläche angeordneten Prozessflächen

Verfahren zur Herstellung strukturierter Siliziumdioxidschichten auf senkrecht oder geneigt zu einer Substratoberflache angeordneten Prozessflachen, wobei in einem Prozessraum ein Substrat (6) bereitgestellt wird, welches ein Relief mit zur Substratoberflache (7) senkrecht oder geneigt angeordneten Prozessflachen (11) umfasst; in einem ersten Schritt auf Abschnitten (15) der Prozessflachen (11), die sich von der Substratoberflache (7) bis zu einer bestimmten Bedeckungstiefe (12) des Reliefs erstrecken, eine Starterschicht (18) mit durch Hydroxygruppen substituierbaren Abgangsgruppen erzeugt wird; und in einem zweiten Schritt auf das Substrat (6) Tris(tert.-butoxy)silanol aufgegeben wird, wobei selektiv auf der Starterschicht (18) eine Schicht aus Siliziumdioxid (20) aufgewachsen wird, wobei die Starterschicht (18) durch Chemisorption einer Reaktivkomponente erzeugt wird und die Menge der die Starterschicht (18) bildenden Reaktivkomponente im Prozessraum auf eine geringere als zur vollstandigen Bedeckung der Prozessflachen (11) erforderliche Menge beschrankt wird.