n-ZnO/p-GaN异质结紫外探测器及其光电性能研究

利用脉冲激光沉积（PLD）方法在p-GaN衬底上沉积了n-ZnO薄膜,构造了n-ZnO/p-GaN异质结型紫外（UV）光-电探测器原型器件,在（UV）光照条件下测试了器件的光电性能。扫描电镜（SEM）和X射线衍射（XRD）测试结果表明,ZnO薄膜具有很好的结晶质量;I-V曲线显示,器件在黑暗和光照环境下都表现出明显的整流行为;光谱响应曲线表明,器件响应度峰值出现在364nm附近,当反向电压为-5V时光电流达到饱和,此时响应度峰值达到1.19A/W。不同反向工作电压下的光谱探测率曲线表明,器件对364nm附近的UV光有较强的选择性,在-2V偏压下具有最佳的探测率,其探测率峰值达到8.9×10^10 cm·Hz1/2/W。