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表面処理により改質されたInGaAs/GaAs金属‐酸化物‐半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタの特性【Powered by NICT】
表面処理により改質されたInGaAs/GaAs金属‐酸化物‐半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタの特性【Powered by NICT】
2017
D. Gregušová
F. Gucmann
R. Kúdela
Matej Mičušík
R. Stoklas
L. Válik
Ján Greguš
Michal Blaho
P. Kordoš
Keywords:
Medicinal chemistry
Materials science
Inorganic chemistry
Nanotechnology
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