Dispositifs electroluminescents a structure semi-conductrice en nitrure du groupe iii a couches exemptes de gallium

La presente invention est une structure semi-conductrice pour dispositifs electroluminescents pouvant emettre dans la zone du spectre electromagnetique allant du rouge a l'ultraviolet. La structure semi-conductrice comprend une premiere couche de metallisation d'un nitrure du groupe III, une seconde couche de metallisation d'un nitrure du groupe III, et une couche active d'un nitrure du groupe III qui est placee entre la premiere et la seconde couche, et dont la largeur de bande est inferieure aux largeurs de bande respectives de la premiere et de la seconde couche de metallisation. La structure semi-conductrice est caracterisee par l'absence de gallium dans une ou plusieurs de ces couches structurales.