전자상자성공명을 이용한 Poly - Si / SiO₂ 박막의 결함연구 : 플라즈마 수소화처리에 따른 결함밀도의 변화

Poly-Si 활성층이 도핑되지 않은 또는 BF₂ 이온주입으로 도핑된 poly-Si/SiO₂ 박막에 존재하는 결함을 효과적으로 감소시키기 위하여 저온 rf 수소플라즈마 처리를 수행하였고, 결함의 변화를 전자상자성공명을 이용하여 조사하였다. 활성층이 도핑되지 않은 시편과 도핑된 시편에서 모두 관측되었던 Pb center와 E' center가 30분의 수소화처리 결과, Pb center의 경우에 각각 80 % (도핑되지 않은 시편)와 76 % (도핑된 시편)의 큰 결함 감소효과를 얻었으며 E' center는 제거되어 관측되지 않았다. 90분의 처리공정에서는 두 시편에서 모두 감소되었던 Pb center의 밀도가 다시 증가하였으며, 제거되었던 E' center가 재생성되었다. 특히 도핑된 시편에서의 Pb center의 밀도증가가 더욱 민감하게 나타났다.