Dispositif optoélectronique et son procédé de fabrication

L'invention concerne un dispositif optoelectronique (10) qui comprend un premier substrat (12) ayant une premiere surface (14) et une seconde surface (16) ; une sous-couche (18) situee sur la seconde surface (16) ; une premiere couche conductrice (20) sur la sous-couche (18) ; une surcouche (22) sur la premiere couche conductrice (20) ; une couche semi-conductrice (24) sur la premiere couche conductrice (20) ; et une seconde couche conductrice (26) sur la couche semi-conductrice (24). La premiere couche conductrice (20) comprend un oxyde conducteur et au moins un dopant choisi parmi le groupe constitue de tungstene, de molybdene, de niobium et de fluor ; et/ou la surcouche (22) comprend une couche tampon (42) comprenant de l'oxyde d'etain et au moins un materiau choisi parmi le groupe constitue de zinc, d'indium, de gallium et de magnesium.