Programming method of non-volatile memory device having multi-plane structure

본 발명은 페이지 버퍼들과 메모리 셀 블록들로 이루어진 N(N은 자연수)개의 플레인 구조를 가진 비휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법에 관한 것으로서, 상기 N개의 플레인 각각의 페이지 버퍼들로 데이터를 순차적으로 로딩하는 단계; 및 첫 번째 내지 N번째 플레인 각각의 페이지 버퍼들 내로 상기 데이터 로딩이 순차적으로 종료되는 순서대로 상기 첫 번째 내지 N번째 플레인 내의 각 페이지 버퍼들에 로딩된 데이터를 상기 첫 번째 내지 N번째 플레인 각각의 선택된 메모리 셀 블록 내의 해당 페이지에 순차적으로 프로그램하는 단계를 포함한다. . 페이지 버퍼, 카피백, 프로그램