Cuivrage permettant de remplir des caractéristiques lors de la fabrication de dispositifs microélectroniques

La presente invention a trait a un procede permettant d'electrogalvaniser du cuivre sur un substrat de dispositif de circuit integre de semi-conducteur en formant une deposition metallique initiale dans la caracteristique qui a un profil comprenant du metal sur la partie inferieure de la caracteristique et un segment des parois laterales n'ayant essentiellement aucun metal sur celui-ci, en effectuant une deposition autocatalytique de cuivre sur la deposition metallique initiale afin de remplir la caracteristique avec du cuivre. La presente invention a egalement trait a un procede permettant d'electrogalvaniser du cuivre sur un substrat de dispositif de circuit integre de semi-conducteur en formant une deposition comprenant un metal mouillable au cuivre dans la caracteristique, en formant une deposition a base de cuivre sur la surface superieure, et en deposant du cuivre sur la deposition comprenant le metal mouillable au cuivre pour remplir la caracteristique avec du cuivre.