Procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteurs

L'invention porte sur un procede de fabrication de dispositif a semi-conducteurs qui forme un film multicouche en une forme echelonnee par gravure par plasma en utilisant une couche de resine photosensible (PR) sur le film multicouche a titre de masque, le film multicouche etant forme par empilement alterne de premier et second films formes sur un substrat et possedant des permittivites relatives differentes. Le procede de fabrication de dispositif a semi-conducteurs consiste a executer d'une maniere repetee : une premiere etape consistant a graver un premier film, en utilisant une couche de resine photosensible a titre de masque ; une deuxieme etape consistant a graver la couche de resine photosensible par un plasma genere par reglage de la pression d'une chambre de traitement a une pression de 6 a 30 Torr et application, a une electrode inferieure, d'une tension haute frequence pour generation de plasma et d'une tension haute frequence pour polarisation ; et une troisieme etape consistant a graver le second film, en utilisant la couche de resine photosensible et le premier film a titre de masque.