ポリシラザン化合物、ポリシラザン化合物の製造方法、シリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜及び半導体装置

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 不均化反応等の副反応が少なく、従って、セ ラミック収率の高い（揮発性の低い）ポリシラザン化合 物を高収率で得られる製造法、揮発性の低いポリシラザ ン化合物、被膜表面の凹凸や塗布ムラが低減され、配線 層間膜の平坦性を高め、半導体装置の信頼性を向上させ ることのできるシリカ系被膜を作製することができるシ リカ系被膜形成用塗布液、このシリカ系被膜を用い層間 絶縁膜とした半導体装置。 【解決手段】 一般式（Ｉ） （式中、Ｒは水素または炭化水素基を示し、Ｘはハロゲ ン原子、ｎは２、３又は４を示す）で表されるハロゲノ シラン化合物と２級アミンとの反応生成物に、アンモニ アまたは１級アミンを反応させることを特徴とするポリ シラザン化合物の製造法、この製造法により得られるポ リシラザン化合物、このポリシラザン化合物を有機溶剤 に溶解させてなるシリカ系被膜形成用塗布液。