Entwurf und Charakterisierung einer Anlage zur Abscheidung atomar selbstregelnder Schichten

Eine Schlusselrolle in der zukunftigen CMOS-Herstellung sowie in vielen Bereichen der Nanotechnologie wird der Atomlagenabscheidung (Atomic Layer Deposition, ALD) zugeordnet. Diese Arbeit beschaftigt sich mit dem Entwurf eines neuartigen Reaktorkonzeptes und der Realisierung einer kompletten ALD-Anlage. Zwei ALD-Prozesse zur Abscheidung von Aluminiumoxid und Siliziumnitrid werden implementiert und optimiert. Die physikalischen und elektrischen Eigenschaften der abgeschiedenen Schichten werden untersucht. Quartz Crystal Microbalance wird als leistungsfahige Methode zur Visualisierung der Vorgange auf der Oberflache wahrend ALD eingesetzt. Das Potential dieser Technik zur Optimierung in situ und zum Monitoring des ALD-Prozesses wird gezeigt.