In ：Fe ：LiNbO3晶体的生长及其在全息关联存储中的应用

用提拉法生长1%(摩尔分数,下同)In:Fe:LiNbO3(LN),2%In:Fe:LN,3%In:Fe:LN和Fe:LN晶体,配料中掺入0.03%(质量分数)Fe2O3.采用光斑畸变法测试晶体的光损伤阈值.结果表明:1%In:Fe:LN和2%In:Fe:LN晶体的光损伤阈值比Fe:LN晶体高1个数量级以上.3%In:Fe:LN晶体的光折变阈值比Fe:LN晶体高2个数量级以上.晶体的位相共轭效应测试结果表明,1%In:Fe:LN晶体的位相共轭反射率(R1=185%)高于3%In:Fe:LN晶体(R3=120%).以3%In:Fe:LN晶体作为存储元件,1%In:Fe:LN晶体作为位相共轭镜,进行全息关联存储实验,其再现图像清晰完整,噪音小.