Structure d'isolation sous forme de tranchee profonde pour si contraint sur sige

L'invention concerne une structure, et son procede de realisation, pour l'isolation de dispositifs electroniques. Les dispositifs electroniques sont realises dans des substrats comprenant une couche a base de SiGe placee sous une couche de Si contraint. La structure d'isolation se presente sous la forme d'une tranchee s'etendant vers le bas depuis la surface superieure du substrat et penetrant dans la couche a base de SiGe, en formant une paroi laterale dans le substrat. Une garniture epitaxiale Si est deposee de facon selective sur la paroi laterale de la tranchee puis oxydee thermiquement. La tranchee est remplie d'un dielectrique de tranchee qui depasse de la surface superieure du substrat.