Activation of film growth on indium phosphide by pulsed photon treatment

Фотонная активация различных физико-химических процессов излучением мощных импульсных ксеноновых ламп (диапазон излучения 0.2-1.2 мкм) - одно из перспективных направлений материаловедческих исследований. Целью работы являлось установление влияния предокислительной импульсной фотонной обработки на процесс термооксидирования фосфида индия с наноразмерным слоем V2O5 на поверхности, состав и морфологию сформированных пленок. Ввыявлен оптимальный режим предокислительной импульсной фотонной обработки магнетронно сформированных гетероструктур V2O5/InP с плотностью облучения 15 Дж/см2. Методами лазерной и спектральной эллипсометрии установлено, что фотонная активация V2O5/InP перед термооксидированием способствует увеличению практически в 2 раза толщины формируемых пленок. Данные рентгенофазового анализа подтверждают интенсификацию процесса фосфатообразования. Методом атомно-силовой микроскопии выявлены морфологические характеристики пленок.Предокислительная импульсная фотонная обработка с оптимальной плотностью облучения 15 Дж/см2 активирует термическое оксидирование гетероструктур V2O5/InP, что связывается с возникновением новых активных центров и ускорением перестройки химических связей в промежуточных комплексах катализатора V2O5 с компонентами полупроводника