OBTENTION D'UN FILM DE TiSiN, FILM ANTI-DIFFUSION A BASE DE FILM DE TiSiN, SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE PRODUCTION, ET APPAREIL D'OBTENTION DE CE FILM DE TiSiN

La presente invention concerne la formation d'un film de TiSiN d'un metal barriere pour semi-conducteur, obtenu par depot chimique en phase vapeur thermique ou plasmatique et servant a empecher la diffusion du Cu. Pour l'obtention du film par depot chimique en phase vapeur thermique, les sources de gaz sont les TiCl4, silane et NH3 a l'etat gazeux. Pour l'obtention du film par depot chimique en phase vapeur plasmatique, les sources de gaz sont les TiCl4, silane, H2 et N2 a l'etat gazeux.