一种GaAs FET／pHEMT器件噪声参数测量的新方法

本文提出一种FET／pHEMT器件噪声参数提取的新方法，该方法利用50Ω输入阻抗噪声系数F50的测量，通过本征H参数和本征级联噪声矩阵CA^INT,确定出关于门噪声温度Tg和漏噪声温度Td的线性方程,后对所有频点的线性方程Tg-Td作统计分析，即可确定Tg和Td再由噪声网络合成原理求得总的级联噪声相关矩阵CA,相应的噪声参数（Fmin，Rn和Гopt）也求出来了.三个FET／pHEMT器件的测量结果显示出，实测参数与Garcia和Lazaro的方法吻合得很好。