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P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
2012
daisuke sibata
kazuhiro unabara
tomohiro murata
yasuhiro yamada
tatuo morita
yosiharu an ta
masahiro isida
hidetosi isida
tetuzou ueda
tuyosi tanaka
daisuke ueda
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