水深梯度对苦草(Vallisneria natans)光合荧光特性的影响

为研究水深梯度对苦草（Vallisneria natans）光合荧光特性的影响,实验设置0.6、1.3、2.0m 3个水深条件,利用水下饱和脉冲荧光仪测定3种水深处理下苦草叶片的荧光参数和快速光响应曲线.结果表明：（1）随着水深增加,无性系分株数、叶片数、根系总长度、根系表面积等形态指标显著降低,而最大叶长、平均叶长、最大叶宽没有显著变化,2.0 m处苦草生长受到抑制;（2）不同水深对苦草叶片初始荧光F0和最大荧光Fm没有显著影响,而最大量子产率Fv/Fm和荧光参数Fv/F0随着水深增加显著增加,叶片光合系统Ⅱ光化学效率亦显著提高;（3） 0.6 m处苦草的相对电子传递速率显著低于2.0 m处;（4）通过拟合光响应曲线所得的光响应曲线初始斜率、光抑制参数、最大电子传递速率以及半饱和光强在不同的水深处理间均差异显著;（5）2.0m处苦草叶片的叶绿素a（Chl.a）、叶绿素b（ChL b）、类胡萝卜素（Car）以及Chl.a-＋-Chl..b含量均显著高于0.6 m处,而Chl.a/Chl.b和Car/Chl.a的差异则不显著.综上所述,0.6 m处苦草的光合能力较弱、保护机制强,而2.0 m则相反,从而说明苦草通过调节自身光合生理来适应不同水深环境.