Procédé de fabrication de dispositif semi-conducteur

La presente invention porte sur un procede de fabrication de dispositif semi-conducteur par lequel une forme gravee peut etre rendue plus uniforme au centre et a la peripherie. Dans ce procede, un dispositif semi-conducteur comprenant ladite tranche est fabrique a l'aide d'un dispositif de gravure plasma equipe de : une chambre ; un mandrin agence dans cette chambre et sur lequel une tranche a traiter est placee ; une bague de mise au point agencee a la peripherie dudit mandrin de maniere a entourer la position de placement de ladite tranche ; et un mecanisme d'alimentation en gaz qui est apte a alimenter un gaz de differents types selon une position dans la direction radiale de ladite tranche. Une tranche formee d'un film organique est placee sur ledit mandrin. Depuis ledit mecanisme d'alimentation en gaz de traitement, un gaz d'agent de gravure qui grave le film organique de ladite tranche est introduit au centre de ladite tranche. Depuis ledit mecanisme d'alimentation en gaz de traitement, un gaz de facteur inhibant la gravure ayant la propriete de reagir avec ledit gaz d'agent de gravure est introduit a la peripherie de ladite tranche. Une gravure plasma de ladite tranche est realisee a l'aide dudit gaz d'agent de gravure.