Mesure automatique des paramètres de bruit des MESFET hyperfréquences

La realisation d’un banc de mesure automatique des parametres de bruit des transistors hyperfrequences est developpee en deux parties : (i) une nouvelle methode d’extraction des quatre parametres de bruit a partir d’un ensemble de mesures de facteur de bruit a des adaptations differentes est decrite. La determination experimentale du bruit minimal n’est plus necessaire et la sensibilite vis-a-vis des incertitudes de mesure est tres faible. (ii) Un adaptateur d’entree commandable possedant un grand nombre de positions etalonnees tres reproductibles est concu et realise. La derniere partie donne des exemples de caracterisation a large bande (de 8 a 17 GHz) deMesfet GaAs concus pour les circuits integres monolithiques lorsque l’adaptateur commandable et la methode d’extraction sont utilises conjointement.