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超高速全光論理ゲート素子に向けたInP(311)B基板に成長させた1550nm帯QD-SOAの利得特性とピエゾ効果の検討 (光エレクトロニクス)
超高速全光論理ゲート素子に向けたInP(311)B基板に成長させた1550nm帯QD-SOAの利得特性とピエゾ効果の検討 (光エレクトロニクス)
2014
atusi matumoto
hayaki takei
kouiti akabane
hirosi isikawa
yuuiti matusima
katuyuki ukou
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