Mode d’activation dans des transistors à grande mobilité d’électrons iii-n

La presente invention concerne un dispositif a semi-conducteurs III-N comportant un substrat et une couche de canal en nitrure comprenant une region partiellement en-dessous d’une region de grille, et deux regions d’acces au canal sur des faces opposees de la partie en-dessous de la grille. Les regions d’acces au canal peuvent etre dans une couche differente de la region en-dessous de la grille. Le dispositif comporte une couche AlXN adjacente a la couche de canal, X etant du gallium, de l’indium ou leur combinaison, et de preference une couche de GaN dopee N adjacente a la couche AlXN dans les surfaces adjacentes aux regions d’acces au canal. La concentration d’aluminium dans la couche AlXN, l’epaisseur de la couche AlXN et la concentration de dopage de type N dans la couche de GaN dopee N sont choisies pour induire une charge 2DEG dans les regions d’acces au canal sans induire aucune charge substantielle de 2DEG sous la grille, de sorte que le canal ne soit pas conducteur en l’absence d’une tension de commutation appliquee a la grille.