半導体原料、半導体装置の製造方法、基板処理方法、および基板処理装置

【課題】５００℃以下の低温でシリコン酸化膜またはシリコンを含んだ金属酸化膜であるシリケート膜を化学気相成長法（ＣＶＤ法）により形成する。 【解決手段】基板上にシリコン酸化膜またはシリケート膜を成膜する際に、少なくともシリコン原子を含む液体原料に、この液体原料が自己分解しない温度において自己分解して水分を発生する添加剤を添加した半導体原料を用いる。成膜時の温度は、少なくともシリコン原子を含む液体原料が自己分解しない程度の温度であって、添加剤が自己分解して水分を発生する程度の温度とする。 【選択図】 図２