中波碲镉汞光电二极管 pn 结特性研究

采用液相外延（LPE）生长的中波HgCdTe 薄膜，基于B 离子注入n-on-p 平面结技术，制备了LBIC 测试结构和I-V 测试芯片并进行了相应的测试和分析。LBIC 测试结果表明，HgCdTe pn 结实际结区尺寸扩展4～5 μm，这主要与光刻、B 离子注入以及注入后低温退火等器件工艺有关。二极管器件C-V 和I-V 特性研究表明，所制备的HgCdTe pn 结不是突变结也不是线性缓变结。中波HgCdTe 二极管器件最高动态阻抗大于30 GΩ，器件优值R0A 高达1.21×10 5 Ωcm 2 ，表现出较好的器件性能。