Transistor à effet de champ et à effet tunnel

L'invention concerne un transistor a effet tunnel qui comprend une diffusion de source (4) d'un type de conductivite oppose a celui d'une diffusion de drain (6), de telle sorte qu'une couche de depletion est formee entre les diffusions de source et de drain dans une region dopee inferieure (8). Une grille isolee (16) commande la position et l'epaisseur de la couche de depletion. Le dispositif comprend un puits quantique forme dans la couche d'accumulation (20) qui est constituee d'une matiere differente de celle de la couche inferieure (2) et de la couche de couverture (22).