Procédé de mesure de la résistance de couche de composants électroniques au moins en deux couches, par creusement de sillons de séparation

L'invention concerne un procede de mesure de la resistance de couche de composants electroniques au moins en deux couches par creusement de sillons de separation dans au moins une couche. Le procede convient en particulier pour le controle de processus de cellules solaires en couche mince, par exemple des cellules solaires en couche mince de chalcopyrite, mais egalement d'autres composants qui presentent sur un support des couches metalliques ou semi-conductrices qui sont divisees par creusement de sillons de separation en parties distinctes situees les unes a cote des autres. Il est prevu selon l'invention, apres avoir applique au moins une autre couche sur la couche dans laquelle les sillons de separation ont ete menages, et partant d'un point de contact, de mesurer successivement les resistances (R) a travers au moins un sillon de separation (P1) et a travers au moins un autre sillon de separation respectif jusqu'a ce point de contact, et de determiner a partir des valeurs mesurees la resistance totale de la couche (R/P1) a travers les differents sillons de separation. Le procede permet par exemple de surveiller l'operation de fabrication des composants cites au debut de maniere a pouvoir detecter des defauts de fabrication des l'operation de fabrication.