多晶硅薄膜(CVD)的生长规律及膜的基本物理性质研究

据文献[1-7]报道,多晶硅薄膜的结晶粒度、晶界分布及载流子复合截面的大小直接与膜的生长工艺条件有关,它是影响光伏器件的质量和效率的重要因素。为了增大结晶粒度,降低晶界损失,提高光生载流子的收集效率,以满足制备高效率、低成本的光伏器件的需要,我们在用CVD法研制多晶硅薄膜过程中,较系统地研究了各种工艺参数对多晶硅薄膜的晶