MULTILAYERS GROWTH OF AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs USING A SOLID-ARSENIC-BASED MOCVD SYSTEM

Reportamos los resultados de los estudios relacionados con el crecimiento y caracterizacion de AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs heteroestructuras epitaxiales obtenidos por MOCVD con arsenico solido como precursor del arsenico en lugar de arsina como se utiliza en sistemas MOCVD convencionales. El uso de arsenico metalico introduce diferencias importantes en el proceso de crecimiento, debido a la ausencia del grupo precursor de hidruro (AsH3) que se manifiesta en las caracteristicas electricas y opticas del GaAs y sus aleaciones. La dificultad mas grave para el crecimiento de capas epitaxiales de AlxGa1-xAs y GaAs por MOCVD-basado en arsenico es la incorporacion de una gran cantidad de impurezas residuales como el carbono y el oxigeno provenientes de los compuestos organometalicos. Ademas, la morfologia superficial de las capas finales presentan un alto grado de rugosidad que hace imposible la fabricacion de dispositivos basados en efectos cuanticos con propiedades opticas optimas, aunque estas capas se pueden usar para la fabricacion de otros tipos de dispositivos basados en multiples capas. La homogeneidad de las muestras fue evaluada por fotoluminiscencia a baja temperatura y espectroscopia Raman.