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Acemap > Paper > モノメチルゲルマンによるSi(001)-2x1清浄表面上へのGe,SiCナノドットの形成と制御(薄膜プロセス・材料,一般)

モノメチルゲルマンによるSi(001)-2x1清浄表面上へのGe,SiCナノドットの形成と制御(薄膜プロセス・材料,一般)

2007 
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