Dispositif de stockage non volatil à semi-conducteur

L'invention porte sur un dispositif de stockage non volatil a semi-conducteur comprenant un substrat semi-conducteur, des premiere a n-ieme chaines de memoire (n indique un nombre naturel de deux ou plus) empilees dans une premiere direction perpendiculaire a la surface du substrat semi-conducteur et s'etendant dans une deuxieme direction parallele a la surface du substrat semi-conducteur, et des premier a k-ieme transistors de selection de couche (k indique un nombre naturel de deux ou plus) pour selectionner l'une des premiere a n-ieme chaines de memoire. Les premier a k-ieme transistors de selection de couche ont une structure stratifiee, dans laquelle des films isolants de grille et des electrodes de grille de selection sont empilees dans l'ordre enumere dans une troisieme direction sur les cotes des premiere a n-ieme couches semi-conductrices dans la troisieme direction. Les electrodes de grille de selection sont formees pour chevaucher les premiere a n-ieme couches semi-conductrices. Chacun des premier a k-ieme transistors de selection de couche prend un etat non commandable, dans lequel le transistor est toujours debloque par rapport a au moins une des premiere a n-ieme couches semi-conductrices, et un etat commandable, dans lequel le transistor peut etre debloque/bloque par rapport a au moins une des couches semi-conductrices restantes.