On the Electric Subbands in n‐Inversion Layers on (111) Ge

Self-consistent results on the subband energy structure of n-inversion layers on (111) Ge in the effective-mass approximation at T = 4.2 and 77 K are presented. The nonequilibrium case with a bias voltage, applied between the inversion layer and semiconductor bulk, is described. Selbstkonsistente Ergebnisse uber die energetische Subbandstruktur von n-Inversionsschichten auf (111) Ge, die unter der Verwendung der Effektiv-Massennaherung bei T = 4,2 und 77 K erhalten werden, werden diskutiert. Der nichtstationare Fall mit einer zwischen der Inversionsschicht und dem Halbleitervolumen angelegten Vorspannung wird beschrieben.