Procédé de fabrication d'un transistor bipolaire à grille isolée

L'invention concerne un procede de fabrication d'un transistor bipolaire a grille isolee (10), qui comprend une couche de derive (3) d'un premier type de conductivite entre un cote emetteur (65), au niveau duquel une electrode de grille (7) et une electrode d'emetteur (8) sont agencees, et un cote collecteur (45) oppose au cote emetteur (65), au niveau duquel une electrode de collecteur (9) est agencee. Le procede de fabrication comprend les etapes de fabrication suivantes dans l'ordre indique : - fournir un substrat (1) d'un second type de conductivite, qui est oppose au premier type de conductivite, ayant un premier cote et un second cote (12, 14) oppose au premier cote, - creer une premiere couche (25) du premier type de conductivite sur le premier cote (12) en appliquant un dopant, - creer une couche de derive (3) du premier type de conductivite sur la premiere couche (25), qui a une faible concentration de dopage, - diffuser les ions de telle sorte qu'une couche tampon (2) ayant une epaisseur de couche tampon (22) est creee, la couche tampon (2) presentant une concentration de dopage superieure a celle de la couche de derive (3), - creer une couche de base (5) du second type de conductivite sur la couche de derive (3), - creer une couche d'emetteur (6) du premier type de conductivite sur la couche de base (5), - amincir (48) le substrat (1) sur le second cote (14) de telle sorte que la partie restante du substrat forme une couche de collecteur (4).