Procédé pour former des motifs in situ sur des films minces à l'aide de photorésines à changement de phase

L'invention concerne un procede pour former des motifs sur un film mince d'un semi-conducteur organique. Le procede consiste a condenser une photoresine sous forme gazeuse en film solide sur un substrat refroidi a une temperature inferieure au point de condensation de ladite photoresine sous forme gazeuse. Le film solide condense est selectivement chauffe a l'aide d'une matrice a motifs pour provoquer une sublimation directe locale de parties selectionnees du film solide, de l'etat solide a l'etat vapeur, ce qui permet de creer un film de photoresine a motifs. Un film semi-conducteur organique est applique sur le film de photoresine a motifs, et ce dernier est chauffe pour provoquer sa sublimation et son decollement en raison du changement de phase.