트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자

트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자에 관해 개시되어 있다. 개시된 트랜지스터는 채널층의 백 채널영역(back channel region)에 불소 함유영역을 구비할 수 있다. 상기 불소 함유영역은 불소를 포함하는 플라즈마로 처리된 영역일 수 있다. 상기 트랜지스터의 소오스/드레인과 채널층 사이의 계면영역은 불소 미함유영역일 수 있다. 상기 채널층은 산화물 반도체층일 수 있다.