Nonvolatile semiconductor device

본 발명은 복수의 메모리셀 유니트가 매트릭스형상으로 배치된 메모리셀 어레이와, 상기 메모리셀 어레이와 신호의 주고 받음을 행하는 제1 및 제2공통신호선을 구비하고, 상기 각 메모리셀 유니트는, 적어도 1개의 불휘발성 메모리셀을 갖춘 불휘발성 메모리부와, 상기 불휘발성 메모리부와 상기 제1공통신호선을 도통시키는 제1선택 MOS 트랜지스터 및, 상기 제1선택 MOS 트랜지스터와 다른 임계치를 갖고, 상기 불휘발성 메모리부와 상기 제2공통신호선을 도통시키는 제2선택 MOS 트랜지스터를 갖추어 이루어져 칩 면적을 증가시키지 않고 고속의 랜덤독출을 가능하게 하는 불휘발성 반도체 기억장치이다.