Appareils et procedes de depot en couches atomiques de materiaux dielectriques contenant du hafnium a constante dielectrique elevee

Les modes de realisation de l'invention concernent des appareils et des procedes permettant de deposer des materiaux sur des substrats pendant des processus de depot en phase vapeur, tels que le depot en couches atomiques (ALD). Dans un mode de realisation, une chambre contient un couvercle contenant un canal extensible forme dans un materiau d'isolation thermique soit directement dans le couvercle, soit forme dans une gaine en entonnoir fixee sur le couvercle. La chambre comprend egalement au moins un conduit couple a une entree de gaz dans le canal extensible et disposee de facon a produire un ecoulement gazeux dans une direction circulaire, par exemple, un tourbillon, une helice ou une spirale. La chambre peut contenir un anneau de retenue, une gaine de traitement superieure, une gaine de traitement inferieure ou une gaine de valve coulissante. D'habitude, les gaines presentent un fini de surface poli et comportent un materiau d'isolation thermique, tel qu'un quartz fondu ou une ceramique. Dans une variante, un systeme de depot comprend un generateur de vapeur d'eau catalytique relie a une chambre de depot en couches atomiques.