Iii first nitride semiconductor light emitting device

本发明提供第III族氮化物半导体发光器件。 所述发光器件具有：包括由第III族氮化物半导体形成的p型层、发光层以及n型层的半导体层；以及在n型层上的n型电极。 所述器件还具有：沿着半导体层的外周延伸并且将半导体层设置有台面形状的器件隔离沟槽；以及连续地设置在第一区域至第三区域上的绝缘膜，第一区域是n型层的外周区域，第二区域是沟槽的侧表面，以及第三区域是器件隔离沟槽的底表面。 n型电极包括导线线状部和两个焊垫部。 外周导线线状部形成为完全符合所述器件的外周的框。 外周导线线状部的一部分设置在n型层上，其剩余部分设置在绝缘膜的第一区域上。