Transistor basse tension
2008
L'invention concerne un transistor muni d'un substrat, d'une structure supportee par le substrat comprenant une source, un drain, une grille, et un canal, la source et la canal etant en materiaux differents, et d'une jonction de tunnel entre la source et le canal, ce par quoi la jonction du tunnel est configuree pour injecter des porteurs de la source au canal.
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