Etude expérimentale de l'épitaxie sélective en phase vapeur aux organométalliques d'alliages à base de nitrure de gallium

De nombreuses etudes theoriques de modelisation et de simulation ainsi que des etudes experimentales et technologiques ont ete developpees, essentiellement pour les materiaux III-V. Des progres enormes furent realises sur la synthese des nitrures de gallium. Ces progres ont stimule un effort extraordinaire dans le monde entier sur ce theme et ont porte ces materiaux a un degre de maturite suffisant pour une industrialisation de masse. Ainsi, l'objectif fixe de cet articleporte sur l'etude optique du BOaN depose par epitaxie selective sur substrat GaN. en utilisant la microscopie optique Nomarski. L'exploitation des images. que nous avons obtenues, a permis d'analyser la selectivite en fonction de la geometrie des masques.