The semiconductor light emitting element and an optical film

チップ化ダイシング工程に耐えることができ、冷熱サイクル耐性に優れ、更に高い光取り出し効率を有する半導体発光素子、及び該半導体発光素子の製造に好適に使用できる光学フィルムを提供する。 本開示は、半導体層、Ａ層、及びＢ層を含む半導体発光素子であって、該半導体発光素子は、該半導体層からの発光光の少なくとも一部が、該Ａ層を介して該Ｂ層から放出されるように構成されており、該Ａ層の厚みが、１ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、該Ｂ層が、第１の主面及び第２の主面を有し、該第１の主面は該Ａ層に対向しており、該第２の主面は凹凸微細構造を有し、該Ｂ層が、該Ｂ層の総質量基準で６０質量％以上の無機物を含み、該Ａ層内に存在する無機物の含有率が、該Ｂ層内に存在する該無機物の含有率よりも少ない、半導体発光素子を提供する。