放射源—探测器近距离几何的Ge（Li）探测器的效率刻度

本工作用多线法和距离变换法相结合,精确地刻度了γ射线源置于Ge(Li)探测器表面时的γ全能峰效率曲线和全效率曲线,这样使谱仪能有效地测量包括存在级联γ跃迁的低活度γ射线的强度。结果达到了γ能量在120—1115keV能区内,相对峰效率误差小于1.5％,绝对峰效率误差小于1.6％,全效率误差小于4.1％。这种方法的优点是用未识活度的γ参考源刻度出较高精度的放射源-探测器近距离几何的相对峰效率。