Procede de depot de films dielectriques a gradient de fonctionnalite par depot chimique en phase a vapeur en utilisant des precurseurs visqueux

L'invention porte sur un procede de formation d'une couche dielectrique a gradient sur une couche sous-jacente, ce procede consistant a faire ecouler un melange d'un gaz contenant du silicium-carbone, d'un gaz contenant de l'oxygene et d'un gaz vecteur dans un pommeau de douche comprenant une plaque de blocage et une plaque avant de facon a former une partie riche en oxyde dans la couche dielectrique a gradient, le gaz contenant du silicium-carbone ayant un debit initial. Le procede consiste a faire ecouler le gaz contenant le silicium-carbone a un premier debit intermediaire d'environ 0,5 secondes ou plus, le premier debit intermediaire etant superieur au debit initial, et faire ecouler le gaz contenant le silicium-carbone a un debit plus rapide superieur au premier debit intermediaire de facon a obtenir une partie riche en carbone dans la couche dielectrique a gradient.