Інфрачервона термографія сонячних елементів, нагрітих темновим струмом

Інфрачервона термографія дозволяє вимірювати температурне поле сонячних елементів і за локальними місцями із підвищеною температурою контролювати наявність дефектів. Особливістю запропонованого методу є нагрівання сонячних елементів зворотним темновим струмом від зовнішнього джерела. Метод застосовано для окремих сонячних елементів, виготовлених із кристалічного кремнію. Розподіл температури на поверхні сонячного елементу є нерівномірним при наявності дефектів. Осередки дефектів мають підвищену провідність і нагріваються більше, ніж основний масив кремнієвої пластини. Середня температура нагрітої поверхні становить приблизно 313 К. Отримані термограми мають розміри 320х232 піксел і дозволяють локалізувати дефект з точністю 0,25 мм. При цьому температурна чутливість термографа дорівнює 0,07 К. Запропонований метод можна застосовувати для пошуку дефектів типу електричного пробою pn- переходу, які мають резистивний характер. Розглянуто також суттєві обмеження попереднього методу, який діє на основі нагрівання сонячних елементів прямим темновим струмом. Апробовано методику локалізації місць дефектів кристалічного кремнію за термограмами поверхні сонячного елементу.