BaGa 2 GeS 6 化合物、BaGa 2 GeS 6 非线性光学晶体及制法和用途

本发明涉及BaGa2GeS6化合物、BaGa2GeS6非线性光学晶体及制法和用途；该BaGa2GeS6化合物采用固相反应制备；BaGa2GeS6非线性光学晶体采用高温熔体自发结晶法或坩埚下降法生长；在该BaGa2GeS6非线性光学晶体的生长中晶体易长大且透明无包裹，具有生长速度较快，成本低，容易获得较大尺寸晶体等优点；所得BaGa2GeS6非线性光学晶体具有比较宽的透光波段，硬度较大，机械性能好，不易碎裂和潮解，易于加工和保存等优点；该BaGa2GeS6非线性光学晶体可用于制作非线性光学器件。